Intel 執行長陳立武（Lip-Bu Tan）在一檔 Podcast 節目中再次談到對記憶體事業的興趣。對一家 1985 年退出 DRAM 的公司而言，這句話的分量並不輕。而且光是 2026 年上半年，Intel 周邊就有三條線同時推進：名為 XBM 的新架構專利、與軟銀旗下公司共同開發的 ZAM，以及延攬前 SK hynix 執行長。

※1 美元 = 158 日圓

當年自己退出的市場，40 年後又想回去

1968 年創立時，Intel 只做記憶體。1969 年推出業界第一款商用 SRAM 3101，隔年推出第一款商用 DRAM 1103。現在雖然是 CPU 公司，出身卻是記憶體廠。

轉折點出現在 1980 年代前期。日本廠商以壓倒性的量產能力進場，DRAM 價格一路下滑。算不出利潤的 Intel 在 1985 年決定退出。長期以來，這項決定被視為正確判斷：從大宗商品撤退，把資源集中在微處理器上。它甚至成為管理學教材裡的著名案例。

AI 讓記憶體變成了戰略物資

這個前提被 AI 推翻了。AI 加速器要求的頻寬急速攀升，高頻寬記憶體（HBM）成為每一顆 AI 晶片的瓶頸。以 DRAM 的位元出貨量來看，HBM 只占約 8 個百分點，卻創造了 DRAM 營收的約 30 個百分點。供給幾乎掌握在 SK hynix、Samsung、Micron 三家手上。

價格展望同樣不輕鬆。Gartner 預測，到 2026 年底 DRAM 與 SSD 價格將上漲 130 個百分點。陳立武本人在 2026 年 2 月就提過，主要記憶體廠商告訴他，供給要到 2028 年才會鬆動。記憶體已經不是便宜買來裝上板子的零件了。

XBM：把矽中介層整個拿掉

Intel 在 2024 年 12 月 26 日提出申請、2026 年 7 月 2 日公開的專利，描述了一種稱為跨批次記憶體（XBM）的結構。

傳統 HBM 把 DRAM 裸晶堆疊在矽中介層上，透過 1,024 位元這種極寬的並列介面與處理器溝通。XBM 則不使用中介層。DRAM 單元本身以薄膜電晶體的形式做在電晶體層之上的後段製程佈線層（BEOL）中，資料則透過 UCIe 序列連結（32 GT/s）傳送。單顆裸晶容量約 1.5GB，堆疊 8 層可達 12GB，設計上最多可延伸到 16 層。會影響堆疊良率的自我修復機制（BISR）與備用通道，也從一開始就納入設計。

這條路線的著眼點，在於設計階段就拿掉中介層與微凸塊接合這兩項推高 HBM 成本的環節。不過實用化時程被放在 2030 年之後，目前仍停在專利階段。

ZAM：與軟銀旗下 SAIMEMORY 貼合九層

另一條線是 ZAM（Z-Angle Memory）。2026 年 2 月 2 日，Intel 與軟銀子公司 SAIMEMORY 簽署協作協議。

ZAM 以熔融接合把 DRAM 堆疊九層，並把層與層之間的矽薄化到約 3 微米，藉此降低 TSV 電阻。2026 年 VLSI 研討會公布的資料顯示，頻寬密度約為 0.25 Tb/s/mm²，換算成 10GB 模組約為 5.3 TB/s。HBM4 每個堆疊約 2 TB/s，因此這是兩倍以上的數字。每搬運 1 位元資料的耗電，據稱低於 0.7 皮焦耳。

日本經濟產業省為此提供最高 38 億日圓的補助，試作目標訂在 2027 會計年度，實用化目標為 2029 會計年度。時程比 XBM 具體，但仍是幾年後的事。

人與錢都已經在動

有意思的是人事。2026 年 6 月 18 日，Intel 延攬李錫熙（Seok-Hee Lee）出任 Intel Foundry 執行副總裁。他在 2000 年至 2010 年於 Intel 負責製程整合，之後以 SK hynix 執行長的身分主導 HBM 開發。而 2020 年以 90 億美元（約 1.4 兆日圓）買下 Intel 快閃記憶體事業的，正是他所屬的那一方。當年的買家，如今回到了賣家。

資金方面，Intel 在 2026 年 8 月 10 日把原本規劃 150 億美元的增資擴大到 200 億美元（約 3.2 兆日圓），發行價訂在每股 95 美元，淨募得約 197 億美元。用途被寫成包含資本支出與營運資金在內的一般公司用途，並未提到記憶體。不過陳立武那段記憶體談話公開的日子，正是這次增資交割的 8 月 12 日。

三次撤退之後，如何不變成第四次

Intel 在記憶體上吃虧不只 1985 年那一次。1990 年代後期押注 Rambus 的 RDRAM，2001 年收手；與 Micron 合作的 3D XPoint 於 2017 年以 Optane 之名上市，2022 年終止。光是 Optane，2016 年到 2020 年的累計虧損就約 68 億美元（約 1.07 兆日圓）。快閃記憶體事業也已經賣掉。

這次與前三次不同的地方，在於它不是量產傳統 DRAM 或 NAND 去拚價格。XBM 與 ZAM 都是重新組裝 HBM 底層成本結構的提案，與其說是走進既有的擂台，不如說是想改變擂台本身的形狀。

話說回來，專利終究不是產品。在 ZAM 試作的 2027 會計年度與 XBM 實用化的 2030 年之後這段期間，HBM4E 與 HBM5 會陸續出現，SK hynix 與 Samsung 也不會坐視不管。由於目前 AI 加速器的生態系是繞著 HBM 架構最佳化的，要轉向其他方式，整個產業都得一起動。陳立武本人也沒有說明這究竟是 Intel 的正式策略還是個人層面的關注，只表示還沒準備好把它攤開來談。

總結

發明 DRAM 的公司，在退出 40 年後重新檢視這個領域。XBM 改寫互連方式，ZAM 改寫堆疊接合方式，兩者都是從根本重做。專利、共同開發、人事與資金落在同一個半年裡，本身就說明這不是一時興起。但時程同樣清楚：試作在 2027 會計年度，實用化從 2029 會計年度到 2030 年之後。這會成為第三次挑戰還是第四次撤退，要看未來兩年左右的具體投資決策。