Intel 首席执行官陈立武（Lip-Bu Tan）在一档播客节目中再次表达了对存储器业务的兴趣。对于一家 1985 年退出 DRAM 的公司来说，这句话分量不轻。而且仅在 2026 年上半年，围绕 Intel 就有三条线索同时推进：名为 XBM 的新架构专利、与软银旗下公司共同开发的 ZAM，以及聘用前 SK hynix 首席执行官。

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当年主动退出的市场，40 年后又要回去

1968 年创立时，Intel 只做存储器。1969 年推出业界首款商用 SRAM 3101，次年推出首款商用 DRAM 1103。如今它是 CPU 公司，但出身是存储器厂商。

转折出现在 1980 年代前期。日本厂商以压倒性的量产能力涌入，DRAM 价格持续下滑。算不过账的 Intel 在 1985 年决定退出。长期以来，这一决断被视为正确选择：从大宗商品中撤离，把资源集中到微处理器。它甚至成了管理学教材里的著名案例。

AI 把存储器变成了战略物资

这个前提被 AI 推翻了。AI 加速器要求的带宽急剧攀升，高带宽存储器（HBM）成了每一颗 AI 芯片的瓶颈。按 DRAM 的比特出货量计算，HBM 只占约 8 个百分点，却贡献了 DRAM 营收的约 30 个百分点。供给几乎被 SK hynix、Samsung、Micron 三家掌握。

价格前景同样不轻松。Gartner 预测，到 2026 年底 DRAM 与 SSD 价格将上涨 130 个百分点。陈立武本人在 2026 年 2 月就表示，主要存储器厂商告诉他，供给紧张要到 2028 年才会缓解。存储器已经不再是便宜买来装到板子上的零件。

XBM：把硅中介层整个丢掉

Intel 于 2024 年 12 月 26 日申请、2026 年 7 月 2 日公开的专利，描述了一种名为跨批次存储器（XBM）的结构。

传统 HBM 把 DRAM 裸片堆叠在硅中介层上，通过 1,024 位这种极宽的并行接口与处理器通信。XBM 干脆不用中介层。DRAM 单元本身以薄膜晶体管的形式做在晶体管层之上的后段布线层（BEOL）里，数据则通过 UCIe 串行链路（32 GT/s）传输。单颗裸片容量约 1.5GB，堆 8 层可达 12GB，设计上最多可扩展到 16 层。影响堆叠良率的自修复机制（BISR）和备用通道也从一开始就纳入设计。

这一路线的着眼点，是在设计阶段就拿掉中介层和微凸块键合这两个推高 HBM 成本的环节。不过实用化时间被定在 2030 年之后，目前仍停留在专利阶段。

ZAM：与软银旗下 SAIMEMORY 贴合九层

另一条线是 ZAM（Z-Angle Memory）。2026 年 2 月 2 日，Intel 与软银子公司 SAIMEMORY 签署了合作协议。

ZAM 采用熔融键合把 DRAM 堆叠九层，并把层间硅减薄到约 3 微米以降低 TSV 电阻。2026 年 VLSI 研讨会公布的数据显示，带宽密度约为 0.25 Tb/s/mm²，换算成 10GB 模块约为 5.3 TB/s。HBM4 每堆栈约 2 TB/s，因此这是两倍以上的数字。每比特数据搬运的能耗据称低于 0.7 皮焦耳。

日本经济产业省为其提供最高 38 亿日元的补贴，样品目标是 2027 财年，量产商用目标是 2029 财年。时间表比 XBM 更具体，但依然是几年之后的事。

人和钱都已经在动

有意思的是人事安排。2026 年 6 月 18 日，Intel 聘任李锡熙（Seok-Hee Lee）担任 Intel Foundry 执行副总裁。此人 2000 年至 2010 年在 Intel 负责制程整合，随后作为 SK hynix 首席执行官主导 HBM 开发。而 2020 年以 90 亿美元（约 1.4 万亿日元）买下 Intel 闪存业务的，正是他所在的那一方。当年的买家，如今回到了卖家。

资金方面，Intel 在 2026 年 8 月 10 日把原计划 150 亿美元的增发扩大到 200 亿美元（约 3.2 万亿日元），发行价定为每股 95 美元，净募集额约 197 亿美元。用途被表述为包括资本支出和运营资金在内的一般公司用途，并未点明存储器。不过陈立武那番存储器言论公开的日子，正是这次增发交割的 8 月 12 日。

三次撤退之后，如何避免第四次

Intel 在存储器上吃亏不止 1985 年一次。1990 年代后期押注 Rambus 的 RDRAM，2001 年抽身；与 Micron 合作的 3D XPoint 于 2017 年以 Optane 形式上市，2022 年终止。仅 Optane 一项，2016 年至 2020 年累计亏损约 68 亿美元（约 1.07 万亿日元）。闪存业务也已出售。

这一次与前三次不同的地方在于，它不是量产传统 DRAM 或 NAND 去拼价格。XBM 和 ZAM 都是重构 HBM 底层成本结构的提案，与其说是走进现有的擂台，不如说是想改变擂台本身的形状。

话虽如此，专利终究不是产品。在 ZAM 样品的 2027 财年与 XBM 实用化的 2030 年之后这段时间里，HBM4E 和 HBM5 会陆续登场，SK hynix 和 Samsung 也不会袖手旁观。由于当前 AI 加速器生态是围绕 HBM 架构优化的，转向其他方式需要整个产业协同。陈立武本人也没有说明这究竟是 Intel 的正式战略还是个人层面的关注，只表示尚未做好展开的准备。

总结

发明 DRAM 的公司，在退出 40 年后重新审视这一领域。XBM 改写互连方式，ZAM 改写堆叠键合方式，都是从根上重做。专利、共同开发、人事和资金落在同一个半年里，本身说明这不是一时兴起。但时间表同样清楚：样品在 2027 财年，商用从 2029 财年到 2030 年之后。这究竟会成为第三次挑战还是第四次撤退，要看今后两年左右的具体投资决策。