美光科技（Micron Technology）于 2026 年 9 月 15 日（美国时间）宣布，全球首款面向服务器的 512GB DDR5 RDIMM 已在多个服务器平台上成功运行。该模块速度最高可达 9,200MT/s，在配备 24 个内存插槽的双路服务器中，单台即可安装 12TB 主内存。与使用 4 条 128GB 模块组成相同容量相比，工作功耗降低 60% 以上。AMD 和英特尔目前正针对下一代服务器平台进行验证。量产预计在 2027 年下半年，虽然现在还买不到，但这一发布足以改变 AI 服务器的内存配置方式，是一个值得关注的节点。
垂直堆叠 DRAM 裸片，单条实现 512GB
单条模块能塞进 512GB，关键在于将 DRAM 裸片（半导体芯片本体）垂直堆叠的封装技术。堆叠后的裸片之间通过硅通孔（TSV）连接，在不增加封装面积的前提下提升单个封装的容量。这与 HBM 所采用的思路相同，如今被引入到服务器标准内存模块 RDIMM 中。
由于模块外形和插槽数量保持不变，服务器无需更换机箱即可提升安装容量。按照美光给出的示例，24 插槽的双路机型最高可达 12TB。目前正在送样的 256GB 模块在同样配置下上限为 6TB，因此容量直接翻倍。
工作速度最高为 9,200MT/s。美光基于 1γ（1-gamma）代 DRAM 的 256GB RDIMM 同样标称 9,200MT/s，512GB 模块也将以同一速度档位配合下一代平台推出。
与 4 条 128GB 相比，工作功耗接近三分之一
美光重点强调的是能效。单条 512GB 模块的工作功耗为 16.0W，而用 4 条 128GB 模块组成 512GB 时合计为 44.2W，降幅超过 60%（按计算约为 64%）。内存是持续通电的部件，这一差距会直接体现在单台服务器乃至整个机架的功耗上。
在性能方面，美光展示了在内存带宽和容量成为瓶颈的场景下的效果。在基于 Spark 支持向量机（SVM）的数据分析中，相比 256GB DDR5 配置，性能最高提升 1.4 倍。对于 RocksDB、Redis 这类常驻内存的数据库和缓存平台，吞吐量和并发数也会提高，数据集可以更高效地扩展。不过，实际提升幅度取决于工作负载和服务器配置。
目标场景涵盖 LLM 推理、内存数据库和虚拟化
美光列出的应用场景包括大语言模型（LLM）、智能体 AI、实时推理、使用多核 CPU 的处理、内存数据库、缓存服务以及虚拟机整合。这些场景的共同点是希望把大量数据留在主内存中，而不是转移到存储设备。减少数据在存储与内存之间往返的次数，就能相应节省延迟和功耗。
负责云内存业务部门的 Raj Narasimhan 表示，512GB RDIMM 可以在现有服务器的物理框架内实现数 TB 级配置，同时推进 AI 与数据库的大型化、虚拟化密度的提升以及能效的改善。
AMD 与英特尔正在验证，摩根大通也表达期待
AMD 和英特尔两家公司都为此次发布提供了评论。AMD 的 Amit Goel 表示，通过与美光在设计层面的协作，将计算与内存的创新结合起来；英特尔的 Karin Eibschitz Segal 也说明，为了让面向下一代数据中心的未来平台能够使用 512GB RDIMM，英特尔正在推进验证。两家公司同时明确表示正在验证，意味着在下一代服务器中，它很可能会被视为标准选项。
在用户方面，摩根大通（JPMorganChase）负责基础设施平台的 CIO Darrin Alves 评论称，大容量内存有助于优化计算、内存与效率之间的平衡。对于金融机构这类大量使用内存计算的行业来说，单台服务器容量翻倍的意义不容小觑。
2027 年下半年量产，与整体供应动向相重叠
美光将 512GB RDIMM 的量产时间定在 2027 年下半年，并根据客户需求逐步投产。距离发布还有一年多，短期内 256GB 模块仍将是最高规格。即便如此，在 DRAM 需求集中于 AI、各厂商加紧投资新工厂的当下，一项能让单插槽容量翻倍的技术得到确认，其意义依然重大。
需要说明的是，此次发布仍处于“演示与验证中”阶段，型号和价格尚未公布。考虑到 DRAM 需求正集中于 AI 领域，笔者也会关注 2027 年下半年开始量产时，服务器内存市场会呈现怎样的局面。
总结
美光在多台服务器上演示了全球首款 512GB DDR5 RDIMM，展示了最高 9,200MT/s 的速度以及双路机型 12TB 的容量。其特点是通过 TSV 堆叠 DRAM 裸片的封装技术，与 4 条 128GB 模块相比工作功耗降低 60% 以上，AMD 和英特尔正在针对下一代平台进行验证。量产计划在 2027 年下半年，面向 LLM 推理、内存数据库等需要大容量内存的应用。
