SK hynix联合Sandisk公布了下一代存储技术High Bandwidth Flash（HBF）的首个标准规范。其思路是把堆叠的NAND闪存放到AI加速器旁边，在获得接近HBM的传输速度的同时，把容量提升一个量级。该规范定义了单堆栈最高512GB的容量和最高约3TB/s的带宽，并通过Open Compute Project（OCP）公开，任何厂商都可以据此进行设计。
在HBM与SSD之间再加一层
现在的AI服务器通常把HBM（高带宽内存）直接放在GPU旁边，再往外才是SSD。HBM速度快但容量有限，SSD容量大却速度偏慢，整个体系只有这两种性格截然不同的层级。
推理规模越大，中间这段空白越明显。模型权重和上下文数据装不进HBM，而每次都到SSD去取又要等待。HBF正是为这个中间地带设计的：通过纵向堆叠NAND来保证容量，同时把接口带宽做到接近HBM的水平。
需要说明的是，SK hynix和Sandisk并没有把HBF定位为HBM的替代品。规范的前提是两者在同一系统内共存，对延迟敏感的处理交给HBM，而模型权重这类需要就近保存的大批量数据则由HBF承担。
容量最高512GB，带宽分三档
公布的规范定义了8层和16层两种NAND裸片堆叠配置，容量覆盖到最高512GB。带宽被划分为Grade1到Grade3三个等级，可从约0.4TB/s一直扩展到3.0TB/s。
之所以做成可分档选择的形式，是因为HBF并非面向单一产品，而是要适配范围更广的加速器。规范中除容量和带宽外，还写入了连接接口与电气特性、HBF裸片堆叠工艺的可靠性与封装指南，以及软件端输入输出的处理规范，基本备齐了实现所需的要素。
Sandisk此前曾表示，16层堆叠可以在与HBM相近的封装尺寸内实现512GB容量。该公司还称，在成本相当的前提下，HBF有望提供HBM的8倍至16倍容量，并表示其使用Llama 3.1 405B进行的模拟结果与无限HBM容量的系统相比，性能差距控制在2.2百分点以内。这些均为厂商自身的测算，但足以说明其目标水准。
互连采用UCIe，可搭配GPU也可搭配CPU
此次规范中值得关注的一点，是与处理器之间的连接采用了UCIe（Universal Chiplet Interconnect Express）。UCIe是为高速连接不同种类半导体芯粒而制定的行业标准接口规范，并非某家厂商的专有格式。
在这一环节靠拢标准，意味着HBF不仅能配合GPU，也能与CPU等其他类型的处理器组合使用。再加上规范通过OCP公开，其意图很明确：把HBF做成整个行业的共用基础，而不是封闭生态。
半年完成规范，Google与Tenstorrent也已加入
SK hynix与Sandisk在标准化上携手是在2025年8月，联盟正式成立是2026年2月，从那时算起约6个月就拿出了首个规范。以半导体标准的推进速度而言相当快。
此后Google和Tenstorrent相继加入联盟。参与者不只有存储厂商，还有实际设计并运行AI加速器的一方，这对规范能否落地很关键。使用方的需求越早反映进来，标准就越不容易停留在纸面上。
关于产品化时间，Sandisk此前给出的说法是首批样品在2026年下半年出货，采用HBF的AI推理设备样品则在2027年初。本次发布没有更新这一时间表。目前的阶段是先于商用产品把共用接口确定下来，让开发者能够基于同一前提展开设计。
FMS 2026上还将首次公开375层NAND
本次发布与8月4日至6日在美国加利福尼亚州圣克拉拉会议中心举行的FMS（Future of Memory and Storage）2026同期进行。首日，SK hynix的Kim Chun-sung与Kang Uk-song将围绕把多种存储器整合为一个体系的Tiered Memory发表联合主题演讲。6日还安排了与Sandisk、Google DeepMind相关人士共同参与的圆桌讨论。
在展台上，正在研发中的第10代375层4D NAND晶圆及产品将首次公开。据SK hynix介绍，其每瓦性能较上一代提升2.5倍，并计划在2027年上半年将基于该NAND的高性能大容量eSSD转入量产。新的存储层级与支撑它的NAND换代，在同一场合一并呈现。
总结
SK hynix与Sandisk公布的HBF初版规范，定义了最高512GB容量、最高约3.0TB/s带宽以及基于UCIe的处理器互连。其设计思路不是取代HBM，而是在HBM与SSD之间增加一层，缓解推理时的容量压力。Google与Tenstorrent已加入联盟，规范也通过OCP以开放形式发布。实际产品尚需时日，但这标志着AI存储配置开始从两层向三层演进。
